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【2h】

Influence of n-type versus p-type AlGaN electron-blocking layer on InGaN/GaN multiple quantum wells light-emitting diodes

机译：n型和p型AlGaN电子阻挡层对InGaN / GaN多量子阱发光二极管的影响

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作者
Ji, Y.; Zhang, Z. H.; Kyaw, Z.; Tan, S. T.; Ju, Z. G.; Zhang, X. L.; Liu, W.; Sun, X. W.; Demir, H. V.;
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作者单位

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年度 2013
总页数
原文格式 PDF
正文语种 en_US
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1. Influence of n-type versus p-type AlGaN electron-blocking layer on InGaN/GaN multiple quantum wells light-emitting diodes [J] . Yun Ji, Zi-Hui Zhang, Zabu Kyaw, Applied Physics Letters . 2013,第5期

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